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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM085P03CV RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM085P03CV RGG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM085P03CV RGG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
TSM085P03CV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34830

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Spezifikation

TSM085P03CV RGG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM085P03CV RGG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM085P03CV RGG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (3.1x3.1)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3234 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM085  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV RGG.

Produkteigenschaften TSM085P03CV RGG TSM05N03CW RPG TSM080N03PQ56 TSM060N03PQ33 RGG
Artikelnummer TSM085P03CV RGG TSM05N03CW RPG TSM080N03PQ56 TSM060N03PQ33 RGG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (3.1x3.1) SOT-223 8-PDFN (5x6) 8-PDFN (3.1x3.1)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 3W (Ta) 2.6W (Ta), 69W (Tc) 40W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 7 nC @ 5 V 14.4 nC @ 10 V 25.4 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3234 pF @ 15 V 555 pF @ 15 V 843 pF @ 15 V 1342 pF @ 15 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 5A (Ta) 14A (Ta), 73A (Tc) 62A (Tc)
Grundproduktnummer TSM085 TSM05 TSM080 TSM060
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN

TSM085P03CV RGG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM085P03CV RGG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM085P03CV RGG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM085P03CV.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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